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Infineon Technologies IRFU3709ZPBF
| Artikelnummer: | IRFU3709ZPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 86A IPAK |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
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Infineon Technologies IRFU3709ZPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IRFU3709ZPBF.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251AA) Serie HEXFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 15A, 10V Verlustleistung (max) 79W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2330 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 4.5 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 86A (Tc) IRFU3709ZPBF Einzelheiten PDF [English] IRFU3709ZPBF PDF - EN.pdf -
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